[News] Giá nguyên liệu SiC tăng trở lại trong khi đế 6 inch bước vào cuộc chiến giá
Tính đến tháng 11/2025, thị trường silicon carbide (SiC) đang trải qua giai đoạn tái định giá quan trọng với sự phân hóa mạnh mẽ. Về giá cả, nguyên liệu SiC dạng thô ở phân khúc thấp đang tăng giá vì chi phí đầu vào leo thang, trong khi đế SiC 6 inch – sản phẩm chủ lực – tiếp tục lao dốc do tình trạng dư cung. Ở mảng ứng dụng, khả năng dẫn nhiệt vượt trội của SiC đang giúp vật liệu này trở thành chiến lược mới cho tản nhiệt chipset AI trong nền tảng Rubin của NVIDIA và đóng vai trò quan trọng trong đóng gói tiên tiến của TSMC — báo hiệu làn sóng tăng trưởng giá trị cao thứ hai nhờ các ứng dụng HPC.
Xu hướng giá SiC: Nguyên liệu thô tăng, đế 6 inch giảm sâu vì chiến tranh giá
Thị trường SiC đang thể hiện rõ sự tách biệt về xu hướng giá.
Ở chiều tăng, giá nguyên liệu SiC dạng thô — gồm bột SiC đen, SiC xanh và các dạng hạt — tiếp tục nhích lên. Theo CIP Commodity Index và BaiInfo, SiC dạng thô được giao dịch ở mức 6.271 CNY/tấn trong tuần qua, tăng 0,21% so với tuần trước.
Đợt tăng giá này xuất phát từ ba nguyên nhân: chi phí nguyên liệu đầu vào neo cao, nhu cầu hạ nguồn mở rộng, và việc siết nguồn cung liên quan đến kiểm tra môi trường cùng hạn chế công suất. Những yếu tố này cộng hưởng khiến giá cơ sở của vật liệu tăng dần.
Ở chiều giảm, đế SiC 6 inch cho thiết bị công suất đang rơi vào cuộc chiến giá dữ dội. Việc mở rộng công suất mạnh mẽ của các nhà cung cấp toàn cầu đã tạo ra dư cung, kéo giá đế xuống sâu.
Nguồn tin ngành cho biết giá đã giảm xuống dưới 500 USD/tấm từ giữa 2024 đến Q4 — giảm hơn 20%. Bước sang 2025, cạnh tranh càng khốc liệt hơn, với mức giá phổ biến chỉ còn khoảng 400 USD hoặc thấp hơn. Một số nhà cung cấp thậm chí báo giá tiệm cận mức chi phí, đẩy nhanh quá trình thanh lọc thị trường đế SiC.
Ứng dụng trọng điểm: Bước ngoặt cấu trúc từ HPC và AI
Việc SiC được ứng dụng vào hệ thống tính toán hiệu năng cao (HPC) đang nổi lên như động lực tăng trưởng quyết định của thị trường cuối 2025. Khi công suất GPU tăng mạnh, các vật liệu tản nhiệt truyền thống không còn đáp ứng được yêu cầu. Với độ dẫn nhiệt lên tới 500 W/m·K, SiC nhanh chóng trở thành lựa chọn tối ưu.
Những diễn biến mới nhất từ các công ty hàng đầu toàn cầu cho thấy xu hướng này:
NVIDIA hướng tới dùng đế SiC trong nền tảng Rubin
NVIDIA dự kiến áp dụng đế SiC cho nền tảng Rubin vào năm 2025, kết hợp quy trình đóng gói CoWoS của TSMC. Mục tiêu là nâng cấp interposer silicon truyền thống lên interposer SiC để xử lý nhiệt lượng cực lớn của các bộ tăng tốc AI thế hệ mới.
TSMC thúc đẩy hệ sinh thái đế SiC 12 inch
TSMC đang phối hợp chặt chẽ với nhà cung cấp để đánh giá SiC đơn tinh thể 12 inch như một vật liệu đế tản nhiệt hiệu năng cao, nhằm thay thế đế gốm truyền thống trong hệ thống HPC. SICC — một trong những nhà sản xuất đế SiC hàng đầu — đã ra mắt danh mục đế SiC 12 inch đầy đủ vào Q1/2025 nhằm đón đầu nhu cầu mới này.
SiC hưởng lợi từ kiến trúc trung tâm dữ liệu chuyển sang 800V HVDC
Khi NVIDIA thúc đẩy kiến trúc trung tâm dữ liệu toàn cầu chuyển sang điện áp cao 800V HVDC, linh kiện công suất SiC được dự đoán sẽ tăng trưởng mạnh, mở rộng vai trò của SiC trong hệ thống cấp nguồn AI server.
Ứng dụng quang học mới: VR/AR/MR
Với chiết suất 2,6–2,7 — cao hơn nhiều so với kính quang học truyền thống — SiC có tiềm năng mạnh trong thấu kính AR/MR thế hệ mới. Điều này có thể giúp thiết bị mỏng hơn, nhẹ hơn, với góc nhìn vượt 70 độ, mở đường cho SiC trở thành vật liệu chủ chốt trong quang học tiêu dùng tương lai.
Tổng thể, những biến động này cho thấy SiC sẽ mở rộng vượt xa lĩnh vực điện công suất truyền thống và trở thành trụ cột trong hệ thống tản nhiệt cho HPC, tạo nên đường cong tăng trưởng mới cho toàn ngành.
Tin liên quan
Sản phẩm mới
